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华润微电子携手锐成芯微推出创新型eFlash解决方
 浏览次数: 更新时间:2020-06-15   

2020年5月27日,华润微电子有限公司(以下简称“华润微”)代工事业群旗下的无锡华润上华科技有限公司(以下简称“华润上华”)与成都锐成芯微科技股份有限公司(以下简称“成都锐成芯微”)宣布,双方联合推出高可靠性eFlash解决方案, 该方案基于华润上华0.153μm 5V EN CMOS工艺,并具有独特的成本优势。

华润微0.153μm 5V EN CMOS工艺平台由上一代明星工艺平台(0.18μm EN CMOS工艺平台)优化而来。优化后的工艺成本大大缩减,在未增加光刻层次的情况下,将N/P MOS沟道尺寸进一步缩小。该工艺平台器件种类多样,适用于MCU、LED显示屏、音频功放、DC-DC等多种应用场景。

成都锐成芯微的LogicFlash® IP具有显著的市场竞争优势,成本优、性能高、可靠性高,并兼容标准CMOS 平台。基于华润上华0.153μm 5V EN CMOS工艺平台,成都锐成芯微能同时提供高可靠性和高密度两个版本的LogicFlash® IP,高密度版本擦写次数可达10K,高可靠性版本擦写次数可达50K;两款IP读取速度可达25MHz,www.35569.com,写入速度可达20μS/byte(超快的写入速度可满足终端客户各种应用场景下对高速读写的需求,并有效降低客户测试成本);两款IP可在150℃ 结温下工作,满足125℃ 结温下10年的数据保持能力的要求,同时满足消费类和工业类产品需求。

基于华润微0.153μm 5V EN CMOS工艺平台,成都锐成芯微已完成高密度版本Logic Flash® IP的功能、性能和1000小时可靠性测试,以及高可靠性版本LogicFlash® IP的功能测试。目前,两个版本的IP均有客户使用并成功导入量产,客户反馈该技术方案相比其他解决方案具有高性价比、高灵活性等特点。

华润上华设计服务工程中心总监王浩表示:“0.153μm 5V EN CMOS工艺平台是公司近些年重点打造的基础工艺平台,其关键工艺参数(On-BV、ESD、Rdson)在业界处于领先地位。公司具备极具市场竞争力的数字单元库(缩小到60%)和SRAM(缩小到58%)。根据市场调研,公司发现其核心客户应用领域从功能单一的ASIC芯片向智能化可编程化的MCU类芯片发展,eNVM是MCU类芯片不可或缺的核心IP。此次与成都锐成芯微的合作,补齐了公司0.153μm 5V EN CMOS工艺平台缺少核心eNVM IP的短板,为客户提供了更高价值的服务,能够帮助客户提高产品竞争力。”

成都锐成芯微首席执行官向建军表示:“锐成芯微一直致力于eNVM IP的开发,通过不断加大研发投入,优化设计,确保在保持高性能的条件下,不断提升成本竞争力,满足客户对于eNVM IP的多样性需求。此次和华润上华在0.153μm 5V EN CMOS工艺平台的合作,也是为了更好地满足市场需求,为全球客户提供极具成本优势的高性能eNVM 技术。”(华润微电子)






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